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生命科学

显影液

四甲基氢氧化铵

Tetramethylammonium hydroxide

半导体级显影液

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适用于集成电路相关制程显影

半导体级五水四甲基氢氧化铵

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光刻功能材料之原料

电子级显影液

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适用于液晶显示等相关制程显影

工业级四甲基氢氧化铵

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适用于PCB等相关制程清洗、橡胶防老化剂催化剂、医药行业等

工业级五水四甲基氢氧化铵

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有机硅催化剂

光刻胶及功能材料

i线抗反射涂层

I-line anti-reflective coating

光刻功能材料

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用于365nm波长（i线）下减少光刻工艺中光反射的材料，有效减少驻波效应，明显改善CD均一性。

KrF抗反射涂层

KrF anti-reflective coating

光刻功能材料

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用于248nm波长（KrF）光刻工艺，减少基材对光的反射率，有效减少驻波效应，明显改善CD均一性。

增粘剂

Tackifier

光刻功能材料

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低毒增粘剂，可替代HMDS，可提高与多种基底的粘附性，增加光刻及湿法刻蚀的工艺窗口。

旋涂碳涂层

Spin-coated carbon coating

光刻功能材料

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用于tri-layer先进光刻工艺制程，具有良好的填充性能，适宜的干法刻蚀速率，常用BEOL后段金属连线工艺。

i线正性光刻胶

I-line positive photoresist

光刻胶

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365nm波长（i线）正性光刻胶，基于酚醛树脂体系，分辨率可到0.35微米，厚度覆盖0.5微米-4微米。

电子束光刻胶

Electron beam photoresist

光刻胶

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EM200是一类耐刻蚀的电子束光刻胶，高分辨率，高感度，厚度覆盖0.03-0.5微米，EB300是PMMA体系电子束光刻胶，具有不同的感度及厚度体系。

负性光刻胶

Negative photoresist

光刻胶

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环氧类别负胶，厚度覆盖0.5-100微米，可做高深宽比图形，配套显影及清洗产品，可保留在器件内，性能稳定。

配套试剂

去胶剂

Glue remover

去胶剂，光刻胶剥离液

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用于传统半导体，化合物，封装制程中光刻胶、灰化/刻蚀残渣去除，对金属腐蚀性弱，去胶速度快，使用寿命长等特性。

去边剂

Edge remover

去边剂

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通用有机体系的去边剂，PGME及PGMEA混合物，洗边效果好，适配常规光刻涂胶设备。

电子束光刻胶显影液/稀释剂

Electron beam photoresist developer/diluent

有机显影液及稀释剂

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配套电子束光刻胶的显影液和稀释剂

BCB材料稀释剂

BCB material diluent

稀释剂

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配套BCB功能材料的稀释剂